FONTE DE ALIMENTAÇÃO:
VDD = 1.2V típico;
VDDQ = 1.2V típico;
VPP = 2.5V típico;
VDDSPD = 2.2V a 3.6V;
Terminação nominal e dinâmica na matriz (ODT) para sinais de dados, estroboscópio e máscara;
Atualização automática de baixa potência (LPASR);
Inversão de barramento de dados (DBI) para barramento de dados;
Geração e calibração VREFDQ na matriz;
Single rank;
EEPROM de detecção de presença serial (SPD) I2 integrada;
8 bancos internos; 2 grupos de 4 bancos cada;
Corte de rajada fixo (BC) de 4 e comprimento de rajada (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS);
BC4 ou BL8 selecionável on-the-fly (OTF);
Topologia de passagem;
Comando de controle terminado e barramento de endereço;
PCB: Altura 1,23 ?(31,25 mm);
Compatível com RoHS e sem halogênio;

ESPECIFICAÇÕES:
CL (IDD) = 22 ciclos;
Tempo do ciclo da linha (tRCmin) = 45,75ns (min.);
Refresh para tempo de comando ativo (tRFCmin) = 350ns (min.);
Tempo ativo da linha (tRASmin) = 32ns (min.);
Classificação UL: 94V – 0;
Temperatura de operação: 0ºC a +85ºC;
Temperatura de armazenamento: -55ºC a +100ºC;

CONTEÚDO DA EMBALAGEM:
Memoria 8gb Ddr4 3200 Kingston Kvr32n22s6/8;

MODELO:
KVR32N22S6/8;